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陕西铟杰半导体有限公司成立于2020年6月，位于陕西省铜川市新区新材料产业园区，厂房面积5000余平方米。公司致力实现于以磷化铟（InP）为主的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体多晶、单晶材料的国产化，打破国外限制，替代进口芯片原材料，成为国际领先的磷化铟化合物半导体材料供应商。
半导体材料产业化项目由陕西铟杰半导体有限公司投资建设，分三期实施，总投入7.6亿元，一期投入6000万元，用于半导体材料多晶生产装备系统、预处理系统等设备以及公用工程，建设百级无尘车间、万级无尘车间及全封闭恒温恒湿标准生产车间，以保证产品的品质切实符合半导体材料生产需求。一期项目预计今年10月完工试生产，在达产达标后实现年生产10000kg多晶产品。
产品具有宽禁带结构，具有极高的电子极限漂移速度，具有耐辐射、高导热等优点，其产品将广泛应用于光纤通信、光探测器、红外光学、高频毫米雷达测距等领域。陕西铟杰半导体有限公司长期致力于半导体多晶、单晶材料的研究与开发，旨在打破美国的限制与技术封锁，实现国产化，并进而成为国际领先的半导体材料供应商。
